BSS316NH6327XTSA1
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
ЭлектроэлементMOSFET, N CH, 30V, 1.4A, SOT-23-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.4A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.119ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V; Power Dissipation Pd:500mW; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:AEC-Q101; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
| Дата загрузки | 22.02.2024 |
| Вес и габариты | |
| Высота | 1.1 mm |
| Высота | 1.1 мм |
| Информация о производителе | |
| Производитель | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Бренд | INFINEON TECHNOLOGIES AG. |
| Основные | |
| base product number | BSS316 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 1.4A (Ta) |
| длина | 2.9 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 30V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| другие названия товара № | BSS316N BSS316NH6327XT H6327 SP000928948 |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity | 12000 |
| fall time | 1 ns |
| fet type | N-Channel |
| forward transconductance - min | 2.3 S |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 0.6nC @ 5V |
| height | 1.1 mm |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current | 1.4 A |
| id - непрерывный ток утечки | 1.4 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 94pF @ 15V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Электронные компоненты/Транзисторы |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 2.3 S |
| квалификация | AEC-Q101 |
| length | 2.9 mm |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Infineon |
| maximum continuous drain current | 1.4 A |
| maximum drain source resistance | 280 mΩ |
| maximum drain source voltage | 30 V |
| maximum gate source voltage | -20 V, +20 V |
| maximum gate threshold voltage | 2V |
| maximum operating temperature | +150 C |
| maximum power dissipation | 500 mW |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum gate threshold voltage | 1.2V |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of channels | 1 Channel |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | SOT-23-3 |
| package type | SOT-23 |
| packaging | Reel |
| партномер | 8013686571 |
| part # aliases | BSS316N BSS316NH6327XT H6327 SP000928948 |
| pd - power dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 500mW (Ta) |
| product category | MOSFET |
| qg - gate charge | 600 pC |
| qg - заряд затвора | 600 pC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 119 mOhms |
| rds on (max) @ id, vgs | 160mOhm @ 1.4A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 119 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rise time | 2.3 ns |
| rohs | Details |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | BSS316 |
| серия | BSS316 |
| supplier device package | SOT-23-3 |
| technology | Si |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 3.4 ns |
| типичное время задержки выключения | 5.8 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor configuration | Single |
| transistor material | Si |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| typical gate charge @ vgs | 0.6 nC @ 5 V |
| typical turn-off delay time | 5.8 ns |
| typical turn-on delay time | 3.4 ns |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 30 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| vgs - gate-source voltage | 20 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1.2 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2V @ 3.7ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 2.3 ns |
| время спада | 1 ns |
| Время загрузки | 3:23:57 |
| Ширина | 1.3 мм |
| width | 1.3 mm |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
![2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]](/wa-data/public/shop/products/04/04/300404/images/351600/351600.300x0.jpg "2SC3420-GR, Транзистор NPN 20В 5А 1.5Вт [TO-126F]")
![2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]](/wa-data/public/shop/products/03/04/300403/images/351599/351599.300x0.jpg "2SA1013-Y, Транзистор PNP 160В 1А 0.9Вт [TO-92LM]")
