BSS314PEH6327

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25°c1.5A
длина2.9 mm
другие названия товара №BSS314PEH6327XT SP000928944 BSS314PEH6327XTSA1
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор P-Ch -30V -1.5A SOT-23-3
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25°c1.5A
длина2.9 mm
другие названия товара №BSS314PEH6327XT SP000928944 BSS314PEH6327XTSA1
Высота 1.1 мм
id - непрерывный ток утечки1.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
manufacturerInfineon Technologies
минимальная рабочая температура55 C
package / caseSOT-23(SOT-23-3)
packagingTape и Reel(TR)
pd - рассеивание мощности500 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
power dissipation-max (ta=25°c)500mW
qg - заряд затвора2.9 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on - drain-source resistance140mΩ 1.5A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток107 mOhms
серияBSS314
технологияSi
типичное время задержки при включении5.1 ns
типичное время задержки выключения12.4 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
transistor polarityP Channel
упаковка / блокSOT-23-3
vds - drain-source breakdown voltage30V
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs - gate-source voltage2V 6.3uA
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3.9 ns
время спада2.8 ns
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль