BSS169H6327XTSA1, Транзистор МОП n-канальный, полевой, 100В, 170мА, 360мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSS169H6327XTSA1
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
Вес и габариты
base product numberBSS169 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c170mA (Ta)
длина2.9 mm
50
+
Бонус: 1 !
Бонусная программа
Итого: 50
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы униполярные\Транзисторы с каналом типа N\Транзисторы с каналом N SMDМОП-транзистор N-Ch 100V 90mA SOT-23-3
Вес и габариты
base product numberBSS169 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c170mA (Ta)
длина2.9 mm
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)0V, 10V
другие названия товара №BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572
eccnEAR99
fet featureDepletion Mode
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs2.8nC @ 7V
Высота 1.1 мм
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки90 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds68pF @ 25V
канальный режимDepletion
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.0.1 S
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
pd - рассеивание мощности360 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)360mW (Ta)
продуктMOSFET Small Signal
qg - заряд затвора2.1 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs6Ohm @ 170mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток6 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesSIPMOSВ® ->
серияBSS169
supplier device packageSOT-23-3
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении2.9 ns
типичное время задержки выключения11 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
ТипSIPMOS Small Signal Transistor
упаковка / блокPG-SOT-23-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г0.8
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs(th) (max) @ id1.8V @ 50ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.9 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания2.7 ns
время спада27 ns
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль