BSS159NH6327XTSA2
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор N-Ch 60V 230mA SOT-23-3
| Вес и габариты | |
| base product number | BSS159 -> |
| continuous drain current (id) @ 25в°c | 230mA |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 230mA (Ta) |
| длина | 2.9 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 0V, 10V |
| другие названия товара № | BSS159N BSS159NH6327XT H6327 SP000919328 |
| eccn | EAR99 |
| fet feature | Depletion Mode |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 1.4nC @ 5V |
| Высота | 1.1 мм |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 230 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 39pF @ 25V |
| канальный режим | Depletion |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 100 mS |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting type | Surface Mount |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 360mW (Ta) |
| power dissipation-max (ta=25в°c) | 360mW |
| qg - заряд затвора | 1.4 nC |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 3.5О© @ 160mA,10V |
| rds on (max) @ id, vgs | 3.5Ohm @ 160mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | SIPMOSВ® -> |
| серия | BSS159 |
| supplier device package | SOT-23-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 3.1 ns |
| типичное время задержки выключения | 9 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor polarity | N Channel |
| упаковка / блок | PG-SOT-23-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 2.4V @ 26uA |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs(th) (max) @ id | 2.4V @ 26ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3.5 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 2.9 ns |
| время спада | 9 ns |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26