BSS138W-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: SOT323, АБМОП-транзистор 50V 200mW
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberBSS138 ->
channel modeEnhancement
74
+
Бонус: 1.48 !
Бонусная программа
Итого: 74
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы и сборки MOSFETкол-во в упаковке: 1, корпус: SOT323, АБМОП-транзистор 50V 200mW
Вес и габариты
automotiveNo
base product numberBSS138 ->
channel modeEnhancement
channel typeN
configurationSingle
continuous drain current (id) @ 25в°c200mA
current - continuous drain (id) @ 25в°c200mA (Ta)
длина2.2 mm
drain to source voltage (vdss)50V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
fet typeN-Channel
Высота 1 мм
hts8541.29.00.95
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки200 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds50pF @ 10V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.100 mS
lead shapeGull-wing
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum continuous drain current (a)0.2
maximum drain source resistance (mohm)3500@10V
maximum drain source voltage (v)50
maximum gate source voltage (v)±20
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)200
militaryNo
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseSC-70, SOT-323
package height0.95
package length2.15
package width1.3
packagingTape and Reel
part statusActive
pcb changed3
pd - рассеивание мощности200 mW
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)200mW (Ta)
power dissipation-max (ta=25в°c)200mW
product categorySmall Signal
продуктMOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки3000
rds on - drain-source resistance3.5О© @ 220mA,10V
rds on (max) @ id, vgs3.5Ohm @ 220mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток3.5 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBSS138
standard package nameSOT
supplier device packageSOT-323
supplier packageSOT-323
supplier temperature gradeAutomotive
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения20 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityN Channel
ТипEnhancement Mode Field Effect Transistor
typical input capacitance @ vds (pf)50(Max)@10V
typical turn-off delay time (ns)20(Max)
typical turn-on delay time (ns)20(Max)
упаковка / блокSOT-323-3
vds - drain-source breakdown voltage50V
vds - напряжение пробоя сток-исток50 V
вес, г0.01
vgs - gate-source voltage1.5V @ 250uA
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs(th) (max) @ id1.5V @ 250ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток500 mV
вид монтажаSMD/SMT
Ширина1.35 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль