BSS131H6327XTSA1
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-23, инфо: Транзистор полевой N-канальный 240В 0.1А 0.36Вт, 16 ОмМОП-транзистор N-Ch 240V 100mA SOT-23-3
| Вес и габариты | |
| base product number | BSS131 -> |
| channel mode | Enhancement |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 110mA (Ta) |
| длина | 2.9 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 240V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 4.5V, 10V |
| другие названия товара № | BSS131 BSS131H6327XT H6327 SP000702620 |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fall time | 64.5 ns |
| fet type | N-Channel |
| forward transconductance - min | 0.06 S |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 3.1nC @ 10V |
| Высота | 1.1 мм |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current | 110 mA |
| id - непрерывный ток утечки | 110 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 77pF @ 25V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 0.06 S |
| квалификация | AEC-Q101 |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| manufacturer | Infineon |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| number of channels | 1 Channel |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | BSS131 BSS131H6327XT H6327 SP000702620 |
| pd - power dissipation | 360 mW |
| pd - рассеивание мощности | 360 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 360mW (Ta) |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| qg - gate charge | 2.1 nC |
| qg - заряд затвора | 2.1 nC |
| qualification | AEC-Q101 |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 14 Ohms |
| rds on (max) @ id, vgs | 14Ohm @ 100mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 14 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rise time | 3.1 ns |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | SIPMOSВ® -> |
| subcategory | MOSFETs |
| supplier device package | SOT-23-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 3.3 ns |
| типичное время задержки выключения | 13.7 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| typical turn-off delay time | 13.7 ns |
| typical turn-on delay time | 3.3 ns |
| упаковка | Reel, Cut Tape |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 240 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 240 V |
| вес, г | 0.055 |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 10 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 800 mV |
| vgs(th) (max) @ id | 1.8V @ 56ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 3.1 ns |
| время спада | 64.5 ns |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26