BSS127H6327XTSA2

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-23, инфо: Транзистор полевой N-канальный 600В 0.021А 0.5ВтМОП-транзистор N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c21mA
длина2.9 mm
другие названия товара №BSS127H6327XT SP000919332 BSS127H6327XTSA2
50
+
Бонус: 1 !
Бонусная программа
Итого: 50
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-23, инфо: Транзистор полевой N-канальный 600В 0.021А 0.5ВтМОП-транзистор N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c21mA
длина2.9 mm
другие названия товара №BSS127H6327XT SP000919332 BSS127H6327XTSA2
Высота 1.1 мм
id - непрерывный ток утечки21 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.7 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности500 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)500mW
продуктMOSFET Small Signal
qg - заряд затвора0.65 nC
размер фабричной упаковки3000
rds on - drain-source resistance500О© @ 16mA,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток310 Ohms
серияBSS127
технологияSi
типичное время задержки при включении6.1 ns
типичное время задержки выключения14 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
transistor polarityN Channel
упаковка / блокPG-SOT-23-3
vds - drain-source breakdown voltage600V
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г0.06
vgs - gate-source voltage2.6V @ 8uA
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания9.7 ns
время спада115 ns
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль