BSS123WQ-7-F

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c170mA
длина2.15 mm
Высота 0.95 мм
91
+
Бонус: 1.82 !
Бонусная программа
Итого: 91
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFETМОП-транзистор 100V N-Ch Enh FET 100Vdgr 20Vgss 200mA
Вес и габариты
continuous drain current (id) @ 25в°c170mA
длина2.15 mm
Высота 0.95 мм
id - непрерывный ток утечки170 mA
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.80 mS
квалификацияAEC-Q101
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности200 mW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation-max (ta=25в°c)200mW
размер фабричной упаковки3000
rds on - drain-source resistance6О© @ 170mA,10V
rds вкл - сопротивление сток-исток6 Ohms
серияBSS123W
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения13 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаDiodes Incorporated
transistor polarityN Channel
упаковка / блокSOT-323-3
vds - drain-source breakdown voltage100V
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - gate-source voltage2V @ 1mA
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток800 mV
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания8 ns
время спада16 ns
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль