BSS123NH6433XTMA1
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 100V 190mA SOT-23-3
| Вес и габариты | |
| aec qualified number | AEC-Q101 |
| automotive | Yes |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| длина | 2.9 mm |
| другие названия товара № | BSS123N BSS123NH6433XT H6433 SP000939268 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant |
| Высота | 1.1 мм |
| hts | 8541.29.00.95 |
| id - непрерывный ток утечки | 190 mA |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 410 mS |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| maximum continuous drain current (a) | 0.19 |
| maximum diode forward voltage (v) | 1.1 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 6000@10V |
| maximum drain source voltage (v) | 100 |
| maximum gate source leakage current (na) | 10 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 1.8 |
| maximum idss (ua) | 0.01 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum positive gate source voltage (v) | 20 |
| maximum power dissipation (mw) | 500 |
| military | No |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| number of elements per chip | 1 |
| operating junction temperature (°c) | -55 to 150 |
| part status | Active |
| pd - рассеивание мощности | 500 mW (1/2 W) |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| process technology | OptiMOS |
| product category | Small Signal |
| qg - заряд затвора | 900 pC |
| размер фабричной упаковки | 10000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 2.4 Ohms |
| серия | BSS123 |
| supplier temperature grade | Automotive |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 2.3 ns |
| типичное время задержки выключения | 7.4 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| typical fall time (ns) | 22 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 0.6 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 0.6@10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 15.7@25V |
| typical rise time (ns) | 3.2 |
| typical turn-off delay time (ns) | 7.4 |
| typical turn-on delay time (ns) | 2.3 |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 800 mV |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 3.2 ns |
| время спада | 22 ns |
| Ширина | 1.3 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26