BSS123LT1G, Транзистор полевой,МОП n-канальный, 100В, 170мА, 360мВт, SOT23

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSS123LT1G
ON Semiconductor
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина2.9мм
24
+
Бонус: 0.48 !
Бонусная программа
Итого: 24
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина2.9мм
Высота 0.94 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток100 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности225 мВт
максимальное сопротивление сток-исток6 Ω
максимальный непрерывный ток стока170 мА
материал транзистораSI
maximum gate threshold voltage2.8V
минимальная рабочая температура-55 °C
номер каналаПоднятие
размеры2.9 x 1.3 x 0.94мм
типичная входная емкость при vds20 пФ при 25 В
типичное время задержки включения20 ns
типичное время задержки выключения40 нс
тип каналаN
тип корпусаSOT-23
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationОдинарный
вес, г0.04
Ширина1.3 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль