BSS123K-TP

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100 В 170 мА (Tj) 350 мВт для поверхностного монтажа SOT-23
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c170mA (Tj)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
76
+
Бонус: 1.52 !
Бонусная программа
Итого: 76
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100 В 170 мА (Tj) 350 мВт для поверхностного монтажа SOT-23
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c170mA (Tj)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs2nC @ 10V
htsus8541.21.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds60pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Digi-ReelВ®
package / caseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
power dissipation (max)350mW
rds on (max) @ id, vgs6Ohm @ 250mA, 10V
rohs statusROHS3 Compliant
supplier device packageSOT-23
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль