BSR802NL6327HTSA1, Trans MOSFET N-CH 20V 3.7A Automotive 3-Pin SC-59 T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:BSR802NL6327HTSA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Вес и габариты
channel mode:
Enhancement
configuration:
Single
factory pack quantity: factory pack quantity:
3000
fall time:
4.1 ns
forward transconductance - min:
16 S
id - continuous drain current:
3.7 A
manufacturer:
Infineon
maximum operating temperature:
+150 C
minimum operating temperature:
-55 C
mounting style:
SMD/SMT
number of channels:
1 Channel
package/case:
SOT-23-3
packaging:
Reel, Cut Tape, MouseReel
part # aliases:
BSR802N L6327 SP000442484
pd - power dissipation:
500 mW
product category:
MOSFET
product type:
MOSFET
qg - gate charge:
4.7 nC
rds on - drain-source resistance:
17 mOhms
rise time:
18 ns
series:
BSR802
subcategory:
MOSFETs
technology:
Si
transistor polarity:
N-Channel
transistor type:
1 N-Channel
typical turn-off delay time:
26 ns
typical turn-on delay time:
9.8 ns
vds - drain-source breakdown voltage:
20 V
vgs - gate-source voltage:
-8 V, +8 V
vgs th - gate-source threshold voltage:
550 mV
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26