BSP75N, Силовой МОП-транзистор, режим обогащения, N Channel, 60 В, 1.1 А, 0.5 Ом, SOT-223, Surface M

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSP75N
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыBSP75N является МОП-транзистором низкой стороны 60В с функциями самозащиты, который подходит для универсальной коммутации. МОП-транзистор обладает монолитной конструкцией, защитой от перегрузки по току, перенапряжения и ЭСР, а так же функциональностью уровня логики. МОП-транзистор заменяет электромеханические реле и дискретные схемы. Когда «умный» МОП-транзистор ощущает присутствие любого из этих потенциально опасных условий, то он...
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.5Ом
количество выводов3вывод(-ов)
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыBSP75N является МОП-транзистором низкой стороны 60В с функциями самозащиты, который подходит для универсальной коммутации. МОП-транзистор обладает монолитной конструкцией, защитой от перегрузки по току, перенапряжения и ЭСР, а так же функциональностью уровня логики. МОП-транзистор заменяет электромеханические реле и дискретные схемы. Когда «умный» МОП-транзистор ощущает присутствие любого из этих потенциально опасных условий, то он защищает себя и нагрузку. Таким образом, интеграция этих функций защиты повышает общую надежность системы. Добавление таких функций, как флажок состояния, также помогает улучшить общую производительность системы, предоставляя возможности диагностики, которые могут помочь в изоляции и устранении неисправностей внутри транспортного средства. МОП-транзистор с функциями самозащиты можно классифицировать, как устройства низкой стороны, где нагрузка переключается относительно заземлению, или как устройства высокой сторо
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.5Ом
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds60В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока1.1А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs2.1В
power dissipation1.5Вт
рассеиваемая мощность1.5Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.5Ом
стиль корпуса транзистораSOT-223
вес, г0.12
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль