BSP613PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -2,9А, 1,8Вт, PG-SOT223

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Подробное описание

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	P
forward diode voltage	1.1V

Все характеристики

250 ₽

– +

Бонус: 5 !

Бонусная программа

Итого: 250 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
channel type	P
forward diode voltage	1.1V
maximum continuous drain current	2.9 A
maximum drain source resistance	130 mΩ
maximum drain source voltage	60 V
maximum gate source voltage	-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage	4V
maximum operating temperature	+175 C
maximum power dissipation	10.8 W
minimum gate threshold voltage	2.1V
minimum operating temperature	-55 C
mounting type	Surface Mount
number of elements per chip	1
package type	SOT-223
pin count	3+Tab
series	SIPMOS
transistor configuration	Single
transistor material	Si
typical gate charge @ vgs	22 nC 10 V
вес, г	0.17
width	40mm

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BSP613PH6327XTSA1, Транзистор P-МОП, полевой, -60В, -2,9А, 1,8Вт, PG-SOT223