BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Подробное описание

Корпус
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	1.8
максимальное напряжение сток-исток uси,в	60

Все характеристики

140 ₽

– +

Бонус: 2.8 !

Бонусная программа

Итого: 140 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.

Корпус
максимальная рассеиваемая мощность pси макс..вт	1.8
максимальное напряжение сток-исток uси,в	60
максимальное напряжение затвор-исток uзи макс.,в	20
максимальный ток сток-исток при 25 с iси макс..а	1.9
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл. (max) при id, rds (on)	0.3 Ом/1.9А, 10В
Структура	p-канал
вес, г	0.39

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)