BSP125H6327XTSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-223, инфо: Транзистор полевой N-канальный 600В 0.12A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушкеМОП-транзистор N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Вес и габариты
base product numberBSP125 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c120mA (Ta)
длина6.5 mm
64
+
Бонус: 1.28 !
Бонусная программа
Итого: 64
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: SOT-223, инфо: Транзистор полевой N-канальный 600В 0.12A Aвтомобильного применения 4-Pin(3+Tab) SOT-223 лента на катушкеМОП-транзистор N-Ch 600V 120mA SOT-223-3
Вес и габариты
base product numberBSP125 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c120mA (Ta)
длина6.5 mm
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
другие названия товара №BSP125 H6327 SP001058576
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs6.6nC @ 10V
Высота 1.6 мм
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки120 mA
input capacitance (ciss) (max) @ vds150pF @ 25V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.60 mS
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / caseTO-261-4, TO-261AA
pd - рассеивание мощности1.8 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
power dissipation (max)1.8W (Ta)
qg - заряд затвора6.6 nC
размер фабричной упаковки1000
rds on (max) @ id, vgs45Ohm @ 120mA, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток25 Ohms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesSIPMOSВ® ->
серияBSP125
supplier device packagePG-SOT223-4
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении7.7 ns
типичное время задержки выключения20 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокSOT-223-4
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г0.05
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id2.3V @ 94ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания14.4 ns
время спада110 ns
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль