Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модулиДискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module
Вес и габариты
длина
122 mm
Высота
17 мм
id - непрерывный ток утечки
300 A
категория продукта
Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Half-Bridge
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
40 C
pd - рассеивание мощности
1875 W
подкатегория
Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора
N-Channel
продукт
Power MOSFET Modules
размер фабричной упаковки
4
серия
BSMx
технология
SiC
типичная величина задержки
80 ns
типичное время задержки при включении
80 ns
типичное время задержки выключения
250 ns
тип продукта
Discrete Semiconductor Modules
торговая марка
ROHM Semiconductor
Тип
SiC Power MOSFET
упаковка
Bulk
упаковка / блок
Module
vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
вес, г
444.8
vgs - напряжение затвор-исток
6 V, 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.6 V
вид монтажа
Screw Mount
время нарастания
70 ns
время спада
65 ns
Ширина
62 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26