Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модулиДискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module

Подробное описание

Вес и габариты
длина	122 mm
Высота	17 мм
id - непрерывный ток утечки	300 A

Все характеристики

175 900 ₽

– +

Бонус: 3518 !

Бонусная программа

Итого: 175 900 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина	122 mm
Высота	17 мм
id - непрерывный ток утечки	300 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Half-Bridge
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
pd - рассеивание мощности	1875 W
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора	N-Channel
продукт	Power MOSFET Modules
размер фабричной упаковки	4
серия	BSMx
технология	SiC
типичная величина задержки	80 ns
типичное время задержки при включении	80 ns
типичное время задержки выключения	250 ns
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	ROHM Semiconductor
Тип	SiC Power MOSFET
упаковка	Bulk
упаковка / блок	Module
vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
вес, г	444.8
vgs - напряжение затвор-исток	6 V, 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.6 V
вид монтажа	Screw Mount
время нарастания	70 ns
время спада	65 ns
Ширина	62 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BSM300D12P2E001