BSM300D12P2E001, ПНП-коп. 50В 0,1А 0,15Вт SOT722

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSM300D12P2E001
Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module
Вес и габариты
длина122 mm
Высота 17 мм
id - непрерывный ток утечки300 A
194 400
+
Бонус: 3888 !
Бонусная программа
Итого: 194 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дискретные полупроводниковые модули 300A SiC Power Module
Вес и габариты
длина122 mm
Высота 17 мм
id - непрерывный ток утечки300 A
категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
количество каналов1 Channel
конфигурацияHalf-Bridge
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
pd - рассеивание мощности1875 W
подкатегорияDiscrete Semiconductor Modules
полярность транзистораN-Channel
продуктPower MOSFET Modules
размер фабричной упаковки4
серияBSMx
технологияSiC
типичная величина задержки80 ns
типичное время задержки при включении80 ns
типичное время задержки выключения250 ns
тип продуктаDiscrete Semiconductor Modules
торговая маркаROHM Semiconductor
ТипSiC Power MOSFET
упаковкаBulk
упаковка / блокModule
vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
вес, г444
vgs - напряжение затвор-исток6 V, 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.6 V
вид монтажаScrew Mount
время нарастания70 ns
время спада65 ns
Ширина62 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль