Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые модулиДискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Подробное описание

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	180 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	2 Channel

Все характеристики

148 200 ₽

– +

Бонус: 2964 !

Бонусная программа

Итого: 148 200 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	180 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Half-Bridge
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
pd - рассеивание мощности	880 W
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора	N-Channel
продукт	Power Semiconductor Modules
размер фабричной упаковки	12
серия	BSMx
технология	SiC
типичная величина задержки	50 ns
типичное время задержки при включении	50 ns
типичное время задержки выключения	165 ns
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	ROHM Semiconductor
Тип	SiC Power MOSFET
упаковка	Tray
упаковка / блок	Module
vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
вес, г	302.2
vgs - напряжение затвор-исток	4 V, 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
вид монтажа	Screw Mount
время нарастания	70 ns
время спада	50 ns

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BSM180D12P3C007