Name: BSM180D12P3C007, НПН-коп. 50В 0,1А 0,2Вт СОТ22
SKU: BSM180D12P3C007

Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Подробное описание

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	180 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	2 Channel

157 900 ₽

– +

Бонус: 3158 !

Бонусная программа

Итого: 157 900 ₽

Купить

Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC UMOSFET & SBD

Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки	180 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	2 Channel
конфигурация	Half-Bridge
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
pd - рассеивание мощности	880 W
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора	N-Channel
продукт	Power Semiconductor Modules
размер фабричной упаковки	12
серия	BSMx
технология	SiC
типичная величина задержки	50 ns
типичное время задержки при включении	50 ns
типичное время задержки выключения	165 ns
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	ROHM Semiconductor
Тип	SiC Power MOSFET
упаковка	Tray
упаковка / блок	Module
vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
вес, г	150
vgs - напряжение затвор-исток	4 V, 22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
вид монтажа	Screw Mount
время нарастания	70 ns
время спада	50 ns

Отзывов нет

Кнопки