Дискретные полупроводниковые модули 1200V 204A HALF BRIDGE SIC
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки
204 A
категория продукта
Дискретные полупроводниковые модули
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
40 C
pd - рассеивание мощности
1360 W
подкатегория
Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора
N-Channel
продукт
Power MOSFET Modules
размер фабричной упаковки
4
типичное время задержки при включении
45 ns
типичное время задержки выключения
125 ns
тип продукта
Discrete Semiconductor Modules
торговая марка
ROHM Semiconductor
Тип
SiC Power MOSFET
упаковка / блок
Module
vds - напряжение пробоя сток-исток
1200 V
вес, г
150
vgs - напряжение затвор-исток
18 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
вид монтажа
Screw Mount
время нарастания
45 ns
время спада
45 ns
vr - обратное напряжение
1200 V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26