Name: BSM180D12P2C101, НПН-коп. 50В 0,03А 0,2Вт СОТ22
SKU: BSM180D12P2C101

Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode)

Подробное описание

90 410 ₽

– +

Бонус: 1808.2 !

Бонусная программа

Итого: 90 410 ₽

Купить

Дискретные полупроводниковые модули Mod: 1200V 180A (no Diode)

Вес и габариты
длина	122 mm
другие названия товара №	BSM180D12P2C101
Высота	21.1 мм
id - непрерывный ток утечки	180 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
количество каналов	1 Channel
конфигурация	Half-Bridge
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
pd - рассеивание мощности	1130 W
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
продукт	Power Semiconductor Modules
размер фабричной упаковки	12
серия	BSMx
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	ROHM Semiconductor
Тип	SiC Power MOSFET
упаковка	Bulk
vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
вес, г	150
vgs - напряжение затвор-исток	22 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.7 V
вид монтажа	Screw Mount
Ширина	45.6 мм

Отзывов нет

Кнопки