Name: BSM180C12P3C202, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 180 А, 1.2 кВ, Module
SKU: BSM180C12P3C202

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & ModulesМодуль для монтажа на шасси N-Channel 1200V 180A (Tc) 880W (TC)

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	BSM180 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	180A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V

141 400 ₽

– +

Бонус: 2828 !

Бонусная программа

Итого: 141 400 ₽

Купить

Вес и габариты
base product number	BSM180 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	180A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	1200V
eccn	EAR99
fet type	N-Channel
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	9000pF @ 10V
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Bulk
package / case	Module
power dissipation (max)	880W (Tc)
rohs status	ROHS3 Compliant
supplier device package	Module
technology	SiCFET (Silicon Carbide)
вес, г	280
vgs (max)	+22V, -4V
vgs(th) (max) @ id	5.6V @ 50mA

Отзывов нет

Кнопки