Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & ModulesIGBT Modules 1200V Vdss;204A ID SiC Mod;SICSTD02

Подробное описание

Вес и габариты
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C

172 400 ₽

– +

Бонус: 3448 !

Бонусная программа

Итого: 172 400 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & ModulesIGBT Modules 1200V Vdss;204A ID SiC Mod;SICSTD02

Вес и габариты
категория продукта	Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
pd - рассеивание мощности	1360 W
подкатегория	IGBTs
продукт	IGBT Silicon Carbide Modules
размер фабричной упаковки	4
технология	SiC
тип продукта	IGBT Modules
торговая марка	ROHM Semiconductor
упаковка	Tray
вес, г	280
вид монтажа	Screw

Отзывов нет

Кнопки

BSM180C12P2E202, Silicon Carbide MOSFET, Chopper, N Канал, 204 А, 1.2 кВ, Module