BSM080D12P2C008, Trans MOSFET N-CH SiC 1,2 кВ 80A 10-контактный лоток

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSM080D12P2C008
Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Вес и габариты
base product numberBSM080 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c80A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
94 440
+
Бонус: 1888.8 !
Бонусная программа
Итого: 94 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Дискретные полупроводниковые модули Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V
Вес и габариты
base product numberBSM080 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c80A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
другие названия товара №BSM080D12P2C008
eccnEAR99
fet featureSilicon Carbide (SiC)
fet type2 N-Channel (Dual)
htsus8541.29.0095
id - непрерывный ток утечки80 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds800pF @ 10V
категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
количество каналов2 Channel
конфигурацияHalf-Bridge
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature175В°C (TJ)
other related documentshttp://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn
packageTray
package / caseModule
pd - рассеивание мощности600 W
подкатегорияDiscrete Semiconductor Modules
power - max600W
продуктPower Semiconductor Modules
размер фабричной упаковки12
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
серияBSMx
simulation modelshttp://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d
supplier device packageModule
тип продуктаDiscrete Semiconductor Modules
торговая маркаROHM Semiconductor
ТипSiC Power MOSFET
упаковкаTray
упаковка / блокModule
vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
вес, г150
vgs - напряжение затвор-исток6 V, 22 V
vgs(th) (max) @ id4V @ 13.2mA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.6 V
вид монтажаScrew Mount
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль