BSG0811NDATMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор LV POWER MOS
Вес и габариты
длина6 mm
другие названия товара №BSG0811ND SP001075902
Высота 1.15 мм
1 090
+
Бонус: 21.8 !
Бонусная программа
Итого: 1 090
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор LV POWER MOS
Вес и габариты
длина6 mm
другие названия товара №BSG0811ND SP001075902
Высота 1.15 мм
id - непрерывный ток утечки50 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
коммерческое обозначениеOptiMOS
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.46 S, 90 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности6.25 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора8.4 nC, 29 nC
размер фабричной упаковки5000
rds вкл - сопротивление сток-исток2.4 mOhms, 700 uOhms
серияOptiMOS 5
технологияSi
типичное время задержки при включении4.3 ns, 5.6 ns
типичное время задержки выключения4.3 ns, 8.8 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокTISON-8
vds - напряжение пробоя сток-исток25 V
vgs - напряжение затвор-исток16 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания4.7 ns, 4.3 ns
время спада1.4 ns, 2.6 ns
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль