BSD314SPEH6327XTSA1, Trans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSD314SPEH6327XTSA1
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Вес и габариты
automotiveYes
base product numberBSD314 ->
channel modeEnhancement
78
+
Бонус: 1.56 !
Бонусная программа
Итого: 78
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET P-CH 30V 1.5A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Вес и габариты
automotiveYes
base product numberBSD314 ->
channel modeEnhancement
channel typeP
configurationSingle Quad Drain
current - continuous drain (id) @ 25в°c1.5A (Ta)
длина2 mm
drain source on state resistance0.107Ом
drain to source voltage (vdss)30V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
другие названия товара №BSD314SPE BSD314SPEH6327XT H6327 SP000917658
eccnEAR99
eccn (us)EAR99
eu rohsCompliant
fet typeP-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs2.9nC @ 10V
Высота 0.9 мм
htsus8541.21.0095
id - непрерывный ток утечки1.5 A
input capacitance (ciss) (max) @ vds294pF @ 15V
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов6вывод(-ов)
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3 S
квалификацияAEC-Q101
lead shapeGull-wing
линейка продукцииOptiMOS 3
максимальная рабочая температура+ 150 C
maximum continuous drain current (a)1.5
maximum drain source resistance (mohm)140 10V
maximum drain source voltage (v)30
maximum gate source leakage current (na)5000
maximum gate source voltage (v)±20
maximum gate threshold voltage (v)2
maximum idss (ua)1
maximum operating temperature (°c)150
maximum power dissipation (mw)500
минимальная рабочая температура55 C
minimum operating temperature (°c)-55
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
монтаж транзистораSurface Mount
mountingSurface Mount
mounting typeSurface Mount
напряжение истока-стока vds30В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока1.5А
number of elements per chip1
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case6-VSSOP, SC-88, SOT-363
packagingTape and Reel
part statusLTB
pcb changed6
pd - рассеивание мощности500 mW (1/2 W)
pin count6
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
пороговое напряжение vgs1.5В
power dissipation500мВт
power dissipation (max)500mW (Ta)
ppapUnknown
process technologyOptiMOS
product categorySmall Signal
qg - заряд затвора700 pC
рассеиваемая мощность500мВт
размер фабричной упаковки3000
rds on (max) @ id, vgs140mOhm @ 1.5A, 10V
rds вкл - сопротивление сток-исток230 mOhms
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesOptiMOSв„ў ->
серияBSD314
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.107Ом
standard package nameSOT
стандарты автомобильной промышленностиAEC-Q101
стиль корпуса транзистораSOT-363
supplier device packagePG-SOT363-6
supplier packageSOT-363
technologyMOSFET (Metal Oxide)
технологияSi
типичное время задержки при включении5.1 ns
типичное время задержки выключения12.4 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
typical fall time (ns)2.8
typical gate charge @ 10v (nc)2.9
typical gate charge @ vgs (nc)2.9 10V
typical input capacitance @ vds (pf)221 15V
typical rise time (ns)3.9
typical turn-off delay time (ns)12.4
typical turn-on delay time (ns)5.1
упаковка / блокSOT-363-6
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
vgs (max)В±20V
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs(th) (max) @ id2V @ 6.3ВµA
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3.9 ns
время спада2.8 ns
Ширина1.25 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль