BSC093N04LSGATMA1, Транзистор N-МОП, полевой, 40В, 40А, 35Вт, PG-TDSON-8

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSC093N04LSGATMA1
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Вес и габариты
categoryPower MOSFET
channel modeEnhancement
channel typeN
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, до 40 В Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Вес и габариты
categoryPower MOSFET
channel modeEnhancement
channel typeN
continuous drain current (id) @ 25°c13A
dimensions6.35 x 5.35 x 1.1mm
height1.1mm
length6.35mm
manufacturerInfineon Technologies
maximum continuous drain current49 A
maximum drain source resistance13.7 mΩ
maximum drain source voltage40 V
maximum gate source voltage-20 V, +20 V
maximum gate threshold voltage2V
maximum operating temperature+150 °C
maximum power dissipation2.5 W
minimum gate threshold voltage1.2V
minimum operating temperature-55 °C
mounting typeSurface Mount
number of elements per chip1
package / casePG-TDSON-8
package typeTDSON
packagingTape и Reel(TR)
pin count8
power dissipation-max (ta=25°c)2.5W
rds on - drain-source resistance9.3mΩ 40A, 10V
seriesOptiMOS 3
transistor configurationSingle
transistor materialSi
transistor polarityN Channel
typical gate charge @ vgs8.6 nC @ 4.5 V
typical input capacitance @ vds1400 pF @ 20 V
typical turn-off delay time16 ns
typical turn-on delay time3.6 ns
vds - drain-source breakdown voltage40V
вес, г0.15
vgs - gate-source voltage2V 14uA
width5.35mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль