BSC080N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:BSC080N03LSGATMA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Вес и габариты
automotive
No
channel mode
Enhancement
channel type
N
configuration
Single Quad Drain Triple Source
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant with Exemption
lead shape
No Lead
maximum continuous drain current (a)
14
maximum drain source resistance (mohm)
8 10V
maximum drain source voltage (v)
30
maximum gate source voltage (v)
±20
maximum gate threshold voltage (v)
2.2
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
2500
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Surface Mount
number of elements per chip
1
packaging
Tape and Reel
part status
Obsolete
pcb changed
8
pin count
8
ppap
No
process technology
OptiMOS
product category
Power MOSFET
standard package name
SON
supplier package
TDSON EP
typical fall time (ns)
2.6
typical gate charge @ 10v (nc)
16
typical gate charge @ vgs (nc)
16 10V
typical input capacitance @ vds (pf)
1300 15V
typical rise time (ns)
2.8
typical turn-off delay time (ns)
15
typical turn-on delay time (ns)
3.3
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26