BSC080N03LSGATMA1, Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSC080N03LSGATMA1
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TDSON EP T/R
| Вес и габариты | |
| automotive | No |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| eccn (us) | ear99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| lead shape | no lead |
| maximum continuous drain current (a) | 14 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 8 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 30 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 2.2 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 2500 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | surface mount |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tape and Reel |
| part status | Obsolete |
| pcb changed | 8 |
| pin count | 8 |
| ppap | No |
| process technology | OptiMOS |
| product category | Power MOSFET |
| standard package name | SON |
| supplier package | TDSON EP |
| typical fall time (ns) | 2.6 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 16 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 16 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 1300 15V |
| typical rise time (ns) | 2.8 |
| typical turn-off delay time (ns) | 15 |
| typical turn-on delay time (ns) | 3.3 |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26
