BSC061N08NS5ATMA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор N-Ch 80V 82A TDSON-8
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина5.9 mm
drain source on state resistance0.0052Ом
1 780
+
Бонус: 35.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 780
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 80V 82A TDSON-8
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина5.9 mm
drain source on state resistance0.0052Ом
другие названия товара №BSC061N08NS5 SP001232634
Высота 1.27 мм
id - непрерывный ток утечки82 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов8вывод(-ов)
коммерческое обозначениеOptiMOS
конфигурацияSingle Quad Drain Triple Source
крутизна характеристики прямой передачи - мин.32 S
линейка продукцииOptiMOS 5
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds80В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока82А
pd - рассеивание мощности74 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation74Вт
qg - заряд затвора27 nC
рассеиваемая мощность74Вт
размер фабричной упаковки5000
rds вкл - сопротивление сток-исток6.1 mOhms
серияOptiMOS 5
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0052Ом
стиль корпуса транзистораTDSON
технологияSi
типичное время задержки при включении11 ns
типичное время задержки выключения19 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковка / блокPG-TDSON-8
vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.2 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания6 ns
время спада5 ns
Ширина5.15 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль