BSC061N08NS5ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 82 А, 0.0052 Ом, TDSON, Surface Mount

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыBSC061N08NS5, SP001232634 • N-channel Optima's ™ 5 power transistor• Optimized for high performance SMPS• 100% avalanche tested• Superior thermal resistance• Qualified according to JEDEC for target applications

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
длина	5.9 mm
drain source on state resistance	0.0052Ом

Все характеристики

440 ₽

– +

Бонус: 8.8 !

Бонусная программа

Итого: 440 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыBSC061N08NS5, SP001232634
• N-channel Optima's ™ 5 power transistor• Optimized for high performance SMPS• 100% avalanche tested• Superior thermal resistance• Qualified according to JEDEC for target applications

Вес и габариты
channel type	N Channel
длина	5.9 mm
drain source on state resistance	0.0052Ом
другие названия товара №	BSC061N08NS5 SP001232634
Высота	1.27 мм
id - непрерывный ток утечки	82 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
количество выводов	8вывод(-ов)
коммерческое обозначение	OptiMOS
конфигурация	Single Quad Drain Triple Source
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	32 S
линейка продукции	OptiMOS 5
максимальная рабочая температура	150 C
минимальная рабочая температура	55 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	80В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	82А
pd - рассеивание мощности	74 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	74Вт
qg - заряд затвора	27 nC
рассеиваемая мощность	74Вт
размер фабричной упаковки	5000
rds вкл - сопротивление сток-исток	6.1 mOhms
серия	OptiMOS 5
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.0052Ом
стиль корпуса транзистора	TDSON
технология	Si
типичное время задержки при включении	11 ns
типичное время задержки выключения	19 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	Infineon Technologies
упаковка / блок	PG-TDSON-8
vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
вес, г	0.1
vgs - напряжение затвор-исток	10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.2 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	6 ns
время спада	5 ns
Ширина	5.15 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

BSC061N08NS5ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 82 А, 0.0052 Ом, TDSON, Surface Mount