BSC016N06NSTATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 100 А, 0.0014 Ом, TDSON, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: BSC016N06NSTATMA1
МОП-транзистор TRENCH 40 Технические параметры Id - непрерывный ток утечки 100 A Pd - рассеивание мощности 139 W Qg - заряд затвора 71 nC Rds Вкл - сопротивление сток-исток 1.6 mOhms Vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2.1 V Вид монтажа SMD/SMT Время нарастания 9 ns Время спада 9 ns Другие названия товара № BSC016N06NST SP001657074 Канальный режим Enhancement Категория продукта МОП-транзистор Количество каналов 1...
Вес и габариты
другие названия товара №BSC016N06NST SP001657074
id - непрерывный ток утечки100 A
канальный режимEnhancement
630
+
Бонус: 12.6 !
Бонусная программа
Итого: 630
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор TRENCH 40

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки
100 A
Pd - рассеивание мощности
139 W
Qg - заряд затвора
71 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.6 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
60 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
9 ns
Время спада
9 ns
Другие названия товара №
BSC016N06NST SP001657074
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
70 S
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Минимальная рабочая температура
55 C
Подкатегория
MOSFETs
Полярность транзистора
N-Channel
Размер фабричной упаковки
5000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
35 ns
Типичное время задержки при включении
19 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Reel, Cut Tape
Упаковка / блок
PG-TDSON-8
Вес, г
0.39

Техническая документация
Вес и габариты
другие названия товара №BSC016N06NST SP001657074
id - непрерывный ток утечки100 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.70 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности139 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора71 nC
размер фабричной упаковки5000
rds вкл - сопротивление сток-исток1.6 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении19 ns
типичное время задержки выключения35 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаInfineon Technologies
упаковкаReel, Cut Tape
упаковка / блокPG-TDSON-8
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г0.39
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания9 ns
время спада9 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль