BSC016N06NSATMA1
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 5
| Основные | |
| Производитель | Infineon |
| Вес и габариты | |
| channel mode | Enhancement |
| число контактов | 8 |
| configuration | Single |
| длина | 6мм |
| factory pack quantity | 5000 |
| fall time | 9 ns |
| forward transconductance - min | 70 S |
| Высота | 1.1 мм |
| id - continuous drain current | 100 A |
| категория | Мощный МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное рассеяние мощности | 139 Вт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 2,4 ммΩ |
| максимальный непрерывный ток стока | 100 А |
| manufacturer | Infineon |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| mounting style | SMD/SMT |
| номер канала | Поднятие |
| number of channels | 1 Channel |
| package / case | TDSON-8 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| part # aliases | BSC016N06NSATMA1 BSC16N6NSXT SP000924882 |
| pd - power dissipation | 139 W |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| прямая активная межэлектродная проводимость | 140s |
| прямое напряжение диода | 1.2V |
| qg - gate charge | 71 nC |
| размеры | 6 x 5 x 1.1мм |
| rds on - drain-source resistance | 1.6 mOhms |
| rise time | 9 ns |
| series | OptiMOS 5 |
| серия | OptiMOS 5 |
| subcategory | MOSFETs |
| technology | Si |
| типичная входная емкость при vds | 5200 пФ при 30 В |
| типичное время задержки включения | 19 нс |
| типичное время задержки выключения | 35 ns |
| типичный заряд затвора при vgs | 71 нКл при 10 В |
| тип канала | N |
| тип корпуса | TDSON |
| тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| tradename | OptiMOS |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| typical turn-off delay time | 35 ns |
| typical turn-on delay time | 19 ns |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 2.1 V |
| Ширина | 5 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26