BSB044N08NN3GXUMA1, Trans MOSFET N-CH Si 80V 18A Automotive 7-Pin WDSON T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:BSB044N08NN3GXUMA1
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор N-Ch 80V 90A CanPAK3 MN OptiMOS 3
Вес и габариты
длина
6.35 mm
другие названия товара №
BSB044N08NN3 BSB44N8NN3GXT G SP000604542
Высота
0.7 мм
id - непрерывный ток утечки
90 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
коммерческое обозначение
OptiMOS
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
36 S
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
40 C
pd - рассеивание мощности
78 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
73 nC
размер фабричной упаковки
5000
rds вкл - сопротивление сток-исток
3.7 mOhms
серия
OptiMOS 3
технология
Si
типичное время задержки при включении
14 ns
типичное время задержки выключения
26 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
Infineon Technologies
упаковка / блок
WDSON-2-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
80 V
vgs - напряжение затвор-исток
20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
9 ns
время спада
7 ns
Ширина
5.05 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26