BS870-7-F
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В 250 мА (Ta) 300 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3
| Основные | |
| Производитель | DiodesZetex |
| Вес и габариты | |
| base product number | BS870 -> |
| channel mode | Enhancement |
| число контактов | 3 |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 250mA (Ta) |
| длина | 3мм |
| drain to source voltage (vdss) | 60V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| eccn | EAR99 |
| factory pack quantity | 3000 |
| fet type | N-Channel |
| forward transconductance - min | 80 mS |
| Высота | 1.1 мм |
| htsus | 8541.21.0095 |
| id - continuous drain current | 250 mA |
| id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 50pF @ 10V |
| канальный режим | Enhancement |
| категория | Малый сигнал |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество элементов на ис | 1 |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 80 mS |
| максимальная рабочая температура | +150 °C |
| максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| максимальное рассеяние мощности | 300 мВт |
| максимальное сопротивление сток-исток | 5 Ω |
| максимальный непрерывный ток стока | 250 mA |
| manufacturer | Diodes Incorporated |
| материал транзистора | Кремний |
| maximum gate threshold voltage | 3V |
| maximum operating temperature | +150 C |
| минимальная рабочая температура | -55 °C |
| minimum operating temperature | -55 C |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting style | SMD/SMT |
| mounting type | Surface Mount |
| номер канала | Поднятие |
| number of channels | 1 Channel |
| operating temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| package / case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| packaging | Cut Tape or Reel |
| pd - power dissipation | 300 mW |
| pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 300mW (Ta) |
| product | MOSFET Small Signal |
| product category | MOSFET |
| product type | MOSFET |
| продукт | MOSFET Small Signal |
| размеры | 3 x 1.4 x 1.1мм |
| размер фабричной упаковки | 3000 |
| rds on - drain-source resistance | 5 Ohms |
| rds on (max) @ id, vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | BS870 |
| серия | BS870 |
| subcategory | MOSFETs |
| supplier device package | SOT-23-3 |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| типичная входная емкость при vds | 22 пФ при 10 В |
| типичное время задержки при включении | 2 ns |
| типичное время задержки включения | 2 нс |
| типичное время задержки выключения | 5 нс |
| тип канала | N |
| тип корпуса | SOT-23 |
| тип монтажа | Surface Mount |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Diodes Incorporated |
| transistor configuration | Одинарный |
| transistor polarity | N-Channel |
| transistor type | 1 N-Channel |
| Тип | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| type | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| typical turn-off delay time | 5 ns |
| typical turn-on delay time | 2 ns |
| упаковка / блок | SOT-23-3 |
| vds - drain-source breakdown voltage | 60 V |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| vgs - gate-source voltage | 10 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| vgs th - gate-source threshold voltage | 1 V |
| vgs(th) (max) @ id | 3V @ 250ВµA |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 1.4 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26