AUIRFZ24NS, Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AUIRFZ24NS
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH Si 55V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
| Вес и габариты | |
| automotive | Yes |
| base product number | AUIRFZ24 -> |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | N |
| configuration | Single |
| current - continuous drain (id) @ 25в°c | 17A (Tc) |
| длина | 6.5 mm |
| drain to source voltage (vdss) | 55V |
| drive voltage (max rds on, min rds on) | 10V |
| другие названия товара № | SP001517468 |
| eccn | EAR99 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| fet type | N-Channel |
| gate charge (qg) (max) @ vgs | 20nC @ 10V |
| Высота | 2.3 мм |
| htsus | 8541.29.0095 |
| id - непрерывный ток утечки | 17 A |
| input capacitance (ciss) (max) @ vds | 370pF @ 25V |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| material | Si |
| maximum continuous drain current (a) | 17 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 70 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 55 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum operating temperature (°c) | 175 |
| maximum power dissipation (mw) | 3800 |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| moisture sensitivity level (msl) | 1 (Unlimited) |
| mounting | Surface Mount |
| mounting type | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| operating temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| package | Tube |
| package / case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| packaging | Tube |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 45 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| power dissipation (max) | 3.8W (Ta), 45W (Tc) |
| ppap | Unknown |
| process technology | HEXFET |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 13.3 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds on (max) @ id, vgs | 70mOhm @ 10A, 10V |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 70 mOhms |
| reach status | REACH Unaffected |
| rohs status | ROHS3 Compliant |
| series | HEXFETВ® -> |
| standard package name | TO-263 |
| supplier device package | D-PAK (TO-252AA) |
| supplier package | D2PAK |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| технология | Si |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| typical fall time (ns) | 27 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 20(Max) |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 20(Max)10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 370 25V |
| typical rise time (ns) | 34 |
| typical turn-off delay time (ns) | 19 |
| typical turn-on delay time (ns) | 4.9 |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| vgs (max) | В±20V |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs(th) (max) @ id | 4V @ 250ВµA |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| Ширина | 6.22 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26