AUIRF4905S, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 55 В, 70 А, 0.02 Ом, TO-263AB, Surface Mount
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: AUIRF4905S
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор Automotive МОП-транзистор 75A 120nC D2Pak
| Вес и габариты | |
| automotive | Yes |
| channel mode | Enhancement |
| channel type | P |
| configuration | Single |
| длина | 6.5 mm |
| другие названия товара № | SP001520184 |
| eccn (us) | EAR99 |
| eu rohs | Compliant with Exemption |
| Высота | 2.3 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 74 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single Dual Drain |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 19 S |
| квалификация | AEC-Q101 |
| lead shape | Gull-wing |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| material | Si |
| maximum continuous drain current (a) | 70 |
| maximum drain source resistance (mohm) | 20 10V |
| maximum drain source voltage (v) | 55 |
| maximum gate source leakage current (na) | 100 |
| maximum gate source voltage (v) | ±20 |
| maximum gate threshold voltage (v) | 4 |
| maximum idss (ua) | 25 |
| maximum operating temperature (°c) | 150 |
| maximum power dissipation (mw) | 170000 |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| minimum operating temperature (°c) | -55 |
| mounting | Surface Mount |
| number of elements per chip | 1 |
| packaging | Tube |
| part status | Active |
| pcb changed | 2 |
| pd - рассеивание мощности | 200 W |
| pin count | 3 |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | P-Channel |
| ppap | Unknown |
| process technology | HEXFET |
| product category | Power MOSFET |
| qg - заряд затвора | 120 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 20 mOhms |
| standard package name | TO-263 |
| supplier package | D2PAK |
| supplier temperature grade | Automotive |
| tab | Tab |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 20 ns |
| типичное время задержки выключения | 51 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 P-Channel |
| торговая марка | Infineon Technologies |
| Тип | HEXFET Power MOSFET |
| typical fall time (ns) | 64 |
| typical gate charge @ 10v (nc) | 120 |
| typical gate charge @ vgs (nc) | 120 10V |
| typical input capacitance @ vds (pf) | 3500 25V |
| typical rise time (ns) | 99 |
| typical turn-off delay time (ns) | 51 |
| typical turn-on delay time (ns) | 20 |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-252-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
| вес, г | 4.39 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| вид монтажа | SMD/SMT |
| время нарастания | 99 ns |
| время спада | 64 ns |
| Ширина | 6.22 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26