APTMC120AM25CT3AG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 N-Channel (полумост) 1200 В (1,2 кВ) 113A (Tc) 500 Вт Монтаж на шасси SP3
Вес и габариты
base product numberAPTMC120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c113A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
82 030
+
Бонус: 1640.6 !
Бонусная программа
Итого: 82 030
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - ArraysMosfet Array 2 N-Channel (полумост) 1200 В (1,2 кВ) 113A (Tc) 500 Вт Монтаж на шасси SP3
Вес и габариты
base product numberAPTMC120 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c113A (Tc)
drain to source voltage (vdss)1200V (1.2kV)
eccnEAR99
fet featureSilicon Carbide (SiC)
fet type2 N-Channel (Half Bridge)
gate charge (qg) (max) @ vgs197nC @ 20V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds3800pF @ 1000V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeChassis Mount
operating temperature-40В°C ~ 150В°C (TJ)
packageBulk
package / caseSP3
power - max500W
rds on (max) @ id, vgs25mOhm @ 80A, 20V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS Compliant
supplier device packageSP3
vgs(th) (max) @ id2.2V @ 4mA (Typ)
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль