APT50M75LLLG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор POWER MOS 7 МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки57 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
4 870
+
Бонус: 97.4 !
Бонусная программа
Итого: 4 870
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор POWER MOS 7 МОП-транзистор
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки57 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности570 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора125 nC
размер фабричной упаковки1
rds вкл - сопротивление сток-исток75 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении8 ns
типичное время задержки выключения21 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаMicrochip / Microsemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г10
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания19 ns
время спада3 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль