APT30N60BC6

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 600 В, 30 А (Tc) 219 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-247 [B]
Вес и габариты
base product numberAPT30N60 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
1 300
+
Бонус: 26 !
Бонусная программа
Итого: 1 300
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 600 В, 30 А (Tc) 219 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-247 [B]
Вес и габариты
base product numberAPT30N60 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)600V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs88nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds2267pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-247-3
power dissipation (max)219W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs125mOhm @ 14.5A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS Compliant
seriesCoolMOSв„ў ->
supplier device packageTO-247 [B]
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id3.5V @ 960ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль