APT30M85BVRG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5
Вес и габариты
длина21.46 mm
Высота 5.31 мм
id - непрерывный ток утечки40 A
2 570
+
Бонус: 51.4 !
Бонусная программа
Итого: 2 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS5
Вес и габариты
длина21.46 mm
Высота 5.31 мм
id - непрерывный ток утечки40 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
коммерческое обозначениеPower MOS V
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности300 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора130 nC
размер фабричной упаковки1
rds вкл - сопротивление сток-исток85 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения43 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-247-3
vds - напряжение пробоя сток-исток300 V
вес, г38
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания10 ns
время спада7 ns
Ширина16.26 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль