APT24M120L

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Вес и габариты
длина26.49 mm
Высота 5.21 мм
id - непрерывный ток утечки24 A
4 400
+
Бонус: 88 !
Бонусная программа
Итого: 4 400
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Вес и габариты
длина26.49 mm
Высота 5.21 мм
id - непрерывный ток утечки24 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
коммерческое обозначениеPOWER MOS 8
крутизна характеристики прямой передачи - мин.27 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности1.040 kW
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора260 nC
размер фабричной упаковки1
rds вкл - сопротивление сток-исток500 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении45 ns
типичное время задержки выключения145 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаMicrosemi
упаковкаTube
упаковка / блокTO-264-3
vds - напряжение пробоя сток-исток1.2 kV
вес, г10.6
vgs - напряжение затвор-исток30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания27 ns
время спада42 ns
Ширина20.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль