Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Power МОП-транзистор - MOS8
Вес и габариты
длина
26.49 mm
Высота
5.21 мм
id - непрерывный ток утечки
24 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
коммерческое обозначение
POWER MOS 8
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
27 S
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
1.040 kW
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
260 nC
размер фабричной упаковки
1
rds вкл - сопротивление сток-исток
500 mOhms
технология
Si
типичное время задержки при включении
45 ns
типичное время задержки выключения
145 ns
тип продукта
MOSFET
торговая марка
Microsemi
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-264-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
1.2 kV
вес, г
10.6
vgs - напряжение затвор-исток
30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
4 V
вид монтажа
Through Hole
время нарастания
27 ns
время спада
42 ns
Ширина
20.5 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26