APT20M38SVRG

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 200V 67A (Tc) 370W (Tc) Поверхностный монтаж D3 [S]
Вес и габариты
base product numberAPT20M38 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c67A (Tc)
drain to source voltage (vdss)200V
3 130
+
Бонус: 62.6 !
Бонусная программа
Итого: 3 130
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 200V 67A (Tc) 370W (Tc) Поверхностный монтаж D3 [S]
Вес и габариты
base product numberAPT20M38 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c67A (Tc)
drain to source voltage (vdss)200V
drive voltage (max rds on, min rds on)10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs225nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds6120pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA
power dissipation (max)370W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs38mOhm @ 500mA, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusRoHS Compliant
seriesPOWER MOS VВ® ->
supplier device packageD3 [S]
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±30V
vgs(th) (max) @ id4V @ 1mA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль