AOY66923

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100 В 16,5 A (Ta), 58 A (Tc) 6,2 Вт (Ta), 73 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-251B
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c16.5A (Ta), 58A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100 В 16,5 A (Ta), 58 A (Tc) 6,2 Вт (Ta), 73 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-251B
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c16.5A (Ta), 58A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs35nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds1725pF @ 50V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-251-3 Stub Leads, IPak
power dissipation (max)6.2W (Ta), 73W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs11mOhm @ 20A, 10V
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAlphaSGTв„ў ->
supplier device packageTO-251B
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.6V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль