AOTF66616L

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В, 38 A (Ta), 72,5 A (Tc), 8,3 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220F
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c38A (Ta), 72.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)6V, 10V
680
+
Бонус: 13.6 !
Бонусная программа
Итого: 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 60 В, 38 A (Ta), 72,5 A (Tc), 8,3 Вт (Ta), 30 Вт (Tc), сквозное отверстие TO-220F
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c38A (Ta), 72.5A (Tc)
drain to source voltage (vdss)60V
drive voltage (max rds on, min rds on)6V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs60nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds2870pF @ 30V
manufacturerAOS
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
packageTube
package / caseTO-220-3 Full Pack
power dissipation (max)8.3W (Ta), 30W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs3.3mOhm @ 20A, 10V
rohs statusROHS3 Compliant
seriesAlphaSGTв„ў ->
supplier device packageTO-220F
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id3.4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль