AOT414

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100 В 5,6 A (Ta), 43 A (Tc) 1,9 Вт (Ta), 115 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.6A (Ta), 43A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)7V, 10V
310
+
Бонус: 6.2 !
Бонусная программа
Итого: 310
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 100 В 5,6 A (Ta), 43 A (Tc) 1,9 Вт (Ta), 115 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c5.6A (Ta), 43A (Tc)
drain to source voltage (vdss)100V
drive voltage (max rds on, min rds on)7V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs34nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds2200pF @ 50V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeThrough Hole
operating temperature-55В°C ~ 175В°C (TJ)
other related documentshttp://aosmd.com/media/AOSGreenPolicy.pdf
packageTube
package / caseTO-220-3
power dissipation (max)1.9W (Ta), 115W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs25mOhm @ 20A, 10V
reach statusREACH Unaffected
rohs statusROHS3 Compliant
seriesSDMOSв„ў ->
supplier device packageTO-220
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±25V
vgs(th) (max) @ id4V @ 250ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль