AON6236, Trans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin DFN EP T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:AON6236
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETsTrans MOSFET N-CH 40V 30A 8-Pin DFN EP T/R
Вес и габариты
automotive
Unknown
channel mode
Enhancement
channel type
N
configuration
Single Quad Drain Triple Source
eccn (us)
EAR99
eu rohs
Compliant
lead shape
No Lead
maximum continuous drain current (a)
30
maximum drain source resistance (mohm)
7 10V
maximum drain source voltage (v)
40
maximum gate source leakage current (na)
100
maximum gate source voltage (v)
±20
maximum gate threshold voltage (v)
2.4
maximum idss (ua)
1
maximum operating temperature (°c)
150
maximum power dissipation (mw)
39000
minimum operating temperature (°c)
-55
mounting
Surface Mount
number of elements per chip
1
packaging
Tape and Reel
part status
Active
pcb changed
8
pin count
8
ppap
Unknown
process technology
TMOS
product category
Power MOSFET
standard package name
DFN
supplier package
DFN EP
typical fall time (ns)
3
typical gate charge @ 10v (nc)
18.5
typical gate charge @ vgs (nc)
18.5 10V|8.2 4.5V
typical input capacitance @ vds (pf)
1225 20V
typical rise time (ns)
2.8
typical turn-off delay time (ns)
23.5
typical turn-on delay time (ns)
6
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26